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  • FS10VS-06 [MITSUBISHI]

    Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN;
    FS10VS-06
    元器件型號: FS10VS-06
    生產廠家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
    描述和應用:

    Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN

    開關 脈沖 晶體管
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    型號參數:FS10VS-06參數
    生命周期Obsolete
    零件包裝代碼TO-220S
    包裝說明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
    針數3
    Reach Compliance Codeunknown
    ECCN代碼EAR99
    風險等級5.84
    外殼連接DRAIN
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源擊穿電壓60 V
    最大漏極電流 (Abs) (ID)10 A
    最大漏極電流 (ID)10 A
    最大漏源導通電阻0.078 Ω
    FET 技術METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代碼R-PSSO-G2
    元件數量1
    端子數量2
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作溫度150 °C
    封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
    封裝形狀RECTANGULAR
    封裝形式SMALL OUTLINE
    極性/信道類型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)30 W
    最大脈沖漏極電流 (IDM)40 A
    認證狀態Not Qualified
    子類別FET General Purpose Power
    表面貼裝YES
    端子形式GULL WING
    端子位置SINGLE
    晶體管應用SWITCHING
    晶體管元件材料SILICON
    Base Number Matches1
    两个男警察的跨下巨龙
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